Отделение исследований свойств материалов электронной техники (ИСМЭТ)

Руководитель отделения: доктор технических наук ПАЛАТНИКОВ МИХАИЛ НИКОЛАЕВИЧ

Направления исследований:

выращивание монокристаллов из расплавов методом Чохральского;
исследование электрофизических, акустических и оптических свойств керамических и монокристаллических сегнетоэлектрических материалов.

Приборный парк:

автоматизированная установка для исследования диэлектрических характеристик и диэлектрической дисперсии в широком диапазоне частот (10 Гц - 10 МГц), напряжений измерительного поля и температур (77 - 1100 К) с пакетом программ обработки информации;
установка для монодоменизации монокристаллов «Лантан»;
установка для выращивания монокристаллов методом Чохральского «Кристалл-2М»;
установки для исследования оптической однородности монокристаллов;
полуавтоматический станок для резки кристаллов «Алмаз-6М»;
установка для одновременного исследования оптических и электрических свойств кристаллов в диапазоне температур 80 – 450К. Предусмотрена возможность регистрации температурных зависимостей интегральной интенсивности термостимулированного излучения и термостимулированного тока (режимы линейного нагрева/охлаждения с регулируемой скоростью), а также измерения температурных зависимостей диэлектрических и динамических пьезоэлектрических свойств кристаллов в диапазоне температуры 80K – 450К. Возможно получение спектров термостимулированного излучения, имеющего, выраженный импульсный характер (мили- и микросекунды) в видимом диапазоне длин волн. Для этого используется спектрометр BTC-675N Exemplar Pro, производство BW Tek, реализующий режим «мгновенной фотографии» спектра.
установка для исследования пьезоэлектрических свойств кристаллов статическим методом.
установка для исследования пьезоэлектрических свойств кристаллов динамическим методом.
анализатор изображения «Тиксомет».

С помощью высокопроизводительного и гибкого анализатора изображения «Тиксомет», созданного на основе современных профессиональных аппаратных и программных средств, возможно формирование панорамы высокого разрешения состоящей из нескольких десятков полей зрения, что значительно облегчает количественную оценку структуры изучаемых материалов и повышает качество и воспроизводимость результатов измерений. Благодаря инструменту «острый фокус» программы «Тиксомет» решена задача одновременного получения и анализа изображения обеих поверхностей прозрачного тонкого (до 0,3 - 0,5 мм) объекта, что открывает дополнительные возможности для изучения взаимосвязи «состав – структура - свойства», необходимой для совершенствования материалов и технологии их получения. Таким способом нами впервые было получено изображение пластины ниобата лития, демонстрирующее взаимное расположение сегнетоэлектрических доменов и некоторое смещение доменных стенок в кристалле на толщине образца 0,3 мм.


Изображение верхней поверхности пластины.	Изображение нижней поверхности пластины.	Изображение пластины ниобата лития, с переходом от нижней поверхности к верхней.